تأثیر تغییر مکان یک ناخالصی بر ترابرد الکترونی یک نانو حلقه در حضور میدان مغناطیسی

از پدیده های جالبی که در الکترونیک مولکولی مورد بررسی قرار می گیرد، اثر میدان مغناطیسی در سامانه های شامل مولکول های حلقوی است. از جمله این سامانه ها مولکول فولرن و حلقه پلی استیلن است. با استفاده از روش هایی مانند تغییر محل اتصال هادی های ورودی و خروجی، اعمال میدان خارجی، تزریق ناخالصی و غیره می توان ویژگی های ترابردی این سامانه ها را کنترل نمود. در این پایان نامه، با استفاده از روش تابع گرین به بررسی اثر میدان مغناطیسی بر ترابرد الکترونی نانو حلقه های فولرنی، پلی استیلنی و مولکول بنزن پرداخته ایم. در نوشتن هامیلتونی این سامانه ها از تقریب نزدیک ترین همسایه ها در رهیافت بستگی قوی بهره گرفته ایم. نتایج نشان می دهد که رسانش الکترونی این سامانه ها با تغییرات شار مغناطیسی عبوری شدیداً تأثیر می پذیرد. این تأثیرات شامل جدا شدن نمودارهایی که در غیاب میدان کاملاً بر هم منطبق بوده اند و همچنین جابجایی مکان قله های تشدیدی و دره های ضد تشدیدی در طیف رسانش می شود.